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200 MAの利益ブロックのアンプの破片、高性能Rf信号のアンプYG602020

基本情報
起源の場所: 中国
ブランド名: TX TELSIG
証明: SGS,ISO9001
モデル番号: TX-YG602020
最小注文数量: 1
価格: Negotiation
パッケージの詳細: 耐久の場合またはカスタマイズされる
受渡し時間: 2つの仕事日
支払条件: T/T、Paypal、L/C、D/A、D/P、ウェスタン・ユニオン、等。
供給の能力: 5000pcs/per月
詳細情報
入れられたRF力: +25 dBm 供給電圧: -0.5から+6.0ボルト
装置流れ: 200 mA 作動の周囲温度: -40から+85 °C
ハイライト:

高周波電力増幅器

,

無線電力増幅器


製品の説明

TXtelsig YG602020の利益ブロックのアンプ

YG602020は活動的なバイアス ネットワークとのダーリントンの組構成を利用する高性能のInGaP HBT MMICの利益ブロックのアンプである。活動的なバイアス ネットワークは温度およびプロセス変化上の安定した流れを提供する。YG602020は50Ωに内部的に一致する、典型的なバイアス状態は単一5V、ダーリントンの典型的なアンプと比べて低下抵抗器を要求しない。YG602020は業界標準SOT-89パッケージで組み立てられる。それはESDの保護単位と内部的に統合される

特徴:

■動作周波数50MHzへの4GHz

■2.0GHzの18dB利益

■2.0GHzの22dBm P1dB

■2.0GHzの32dBm OIP3

■単一の電源

■統合された活動的なバイアス回路

■業界標準SOT-89パッケージ

■ESDの保護1000V HBMの上のすべての港

適用

■WLAN/WiMAX/WiBro

■GSM/CDMA/PCS

■WCDMA/LTE

■GPS/コンパス

■CMMB

■RFID

■CATV

■主義

200 MAの利益ブロックのアンプの破片、高性能Rf信号のアンプYG602020 0

Pinの記述
Pinいいえ。 記号 記述
1 RFの入力
3 出口 RF出力およびバイアス
2、4 GND 接続される地面

注意!

絶対最高評価の状態の1または組合せを超過することは装置への永久的な損害を与えるかもしれない。装置への絶対最高評価の条件の拡張された適用は装置信頼性を減らすかもしれない。

変数 評価 単位
入れられたRF力 25 dBm
供給電圧 -0.5から+6.0 V
装置流れ 200 mA
作動の周囲温度 -40から+85 °C
保管温度 -40から+150 °C

200 MAの利益ブロックのアンプの破片、高性能Rf信号のアンプYG602020 1

連絡先の詳細
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WhatsApp : +8613787832057