周波数範囲: | 300-100MHz | 操作: | 3.3V~5.0V |
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静止流れ: | 250mA | 得なさい(タイプ): | 32dB |
ハイライト: | rfの電力増幅器,mmic電力増幅器 |
1GHz 4Wの電力増幅器へのTXtelsig YP3236W RFのアンプ0.3GHz
YP3236Wはバンドの適用のためにからの最大限に活用されるthree-stage高利得電力増幅器である
300MHzへの1000MHz。装置は両極InGaP高度の/GaAsのヘテロ接合で製造される
トランジスター(HBT)プロセス。このアンプは32dBの典型的な利益および36 dBmのP1dB力を提供する、
典型的なバイアス状態は250 mAに5.0Vである。入力は50Ωに内部的に一致し、出力は要求する
1000MHzに全体の300MHzを覆う外的な一致の部品の最低。YP3236Wはある
、4×4mm2 16ピンで集まっているのQFNのパッケージ。それはESDの保護単位と内部的に統合される。
特徴
■300~1000MHz周波数範囲
■3.3V~5.0V操作
■32dB利益
■36dBm P1dB @VCC=5V
■250mA静止流れ
■>20dBはリターン・ロスを入れた
■統合された出力電力探知器
適用
■無線データ通信
■CDMA
■GSM
■RFID
■CMMB
■TETRA
発注情報
■1000MHz 4Wの電力増幅器へのYP3236W 300MHz
■YP3236W-EVB 400MHz~470MHz、600MHz~800MHz、820MHz~850MHz、860MHz~960MHz
評価PCB
注意!ESDの敏感な装置
ESDの評価:Class1C
価値:Passes≥1000V min。
テスト:人体モデル(HBM)
標準:JEDEC標準的なJESD22-A114
ESDの評価:クラスIV
価値:パス≥1000V min。
テスト:満たされた装置モデル(CDM)
標準:JEDEC標準的なJESD22-C101
MSLの評価:+260の°Cの対流の水平に3
退潮
標準:JEDEC標準的なJ-STD-020
変数 | 評価 | 単位 |
入れられたRF力 | 15 | dBm |
供給電圧 | -0.5から+8.0 | V |
バイアス電圧 | -0.5から+3.0 | V |
DCの供給の流れ | 2000年 | mA |
作動の周囲温度 | -40から+85 | °C |
保管温度 | -40から+150 | °C |
Pinの記述 | ||
Pinいいえ。 | 記号 | 記述 |
1,3,4 | NC | 内部関係無し。5月はひくために接続される |
2 | RF | RFの入力 |
5/8 | VR1&2/VR3 | 1st&2ndStage/3rd段階のためのバイアス現在の制御電圧 |
6 | VCTR | 電源-入/切制御電圧は、3つの電力増幅器の段階に動力を与えるために>1.5VDCを適用する。動力を与えるために0VDCを適用しなさい。機能が望まれなければ、pin6はGNDに接続されるかもしれない。 |
7 | VCCB | バイアス回路のための供給電圧 |
13 | DET | 力の探知器およびRFのレベルVCC3/RFに比例した出力電圧は提供する 出口。機能が望まれなければ、pin13,14は未終了に残っているかもしれない。 |
14 | VCCD | 力の探知器のための供給電圧 |
9、10、11、12 | VCC3からのRF | RF output/VCC3 |
15/16 | VCC2/VCC1 | 第2/第1段階のためのコレクターの供給電圧 |